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率先突破三星开始量产10nm芯片Gala

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来源: 作者: 2018-10-28 12:11:49

率先突破!三星开始量产10nm芯片 Galaxy S有望配备

10月17日消息,据国外媒体报道,三星今天宣布已经开始批量生产具有10纳米FinFET技术的SoC芯片,将成为业界率先实现这一突破的公司,这也是继2015年1月成功批量生产业界第一款FinFET移动应用处理器之后的成果。    三星将成为高通骁龙830高端处理器的独家代工商,这些芯片都将使用10纳米工艺生产,而有望于明年初发布的新款Galaxy

S,将有半数使用这种芯片。  三星电子代理业务部执行副总裁Jong Shik Yoon表示:“业界首批大规模生产10nm

FinFET技术产品,证明了我们在先进工艺技术方面的领先地位,并表示公司将继续推进缩放技术。  与14nm工艺相比,新型10nm

FinFET工艺使用先进的3D晶体管结构,对工艺技术和设计进行了进一步改进。三星表示,这使得面积效率增加了30%,性能提高了27%,功耗降低了40%,第二代10nm处理器将在明年下半年批量生产。(周林)

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